REM/EDX Analysen

Das Rasterelektronenmikrokop dient zur hochauflösenden morphologischen und chemischen Oberflächencharakterisierung von allen erdenklichen Materialien.

Dabei werden die Oberflächen mit einem Elektronenstrahl abgerastert und ein detailliertes Oberflächenabbild erzeugt (SE Detektor). Mit Hilfe unterschiedlicher Detektoren (BSE und EDX) können zusätzlich chemische Variabilität und spezifische chemische Zusammensetzungen ermittelt werden.

Fragen Sie unsere Experten wie Ihre Probe analysiert werden kann um ein Maximum an Information zu gewinnen.

 

Anwendungsmöglichkeiten

Schadenanalysen (Failure analysis)

Wieso ist das Glas matt?

Oberflächen können bei unterschiedlichen Prozessen Schäden davontragen. REM/EDX ist eine einfache und schnelle Methode um die Ursache dieser Schäden zu ermitteln.

 

Mikro- und Nanopartikelverschmutzung auf Oberflächen

Metall-reiche Partikelverschmutzung auf organische Oberfläche

Mit Hilfe von Rasterelektronenmikroskopie können der Grad der Verschmutzung sowie die Quelle ermittelt werden.

 

Elementkarten (Element mapping)

Beispiel zeigt die Verteilung von Eisen und Silizium auf einer geologischen Probe

Oft ist es entscheidend zu wissen, wie die Phasen in einem Material verteilt sind. Elementkarten sind die perfekte Methode um diese Verteilung schnell und akkurat zu bestimmen.

 

Morphologische Charakterisierung von Oberflächen

Oberflächen können extrem komplex sein. Eine REM Analyse ist die perfekte Methode um komplexe Oberflächen abzubilden und zu charakterisieren.

 

Technische Details zum Rasterelektronenmikroskop

ZEISS Gemini 300 (FEG-REM)
-SE und EsB in-lens Detektoren
-4 Quadrant BSE Detektor
-0.8 nm Auflösung bei 15 kV


Oxford AZTec Advanced Microanalysis EDX System
-AZTec Software
-Feature Analysis Software
-X-Max 80 mm2 EDX-Detector  (grosse Fensterfläche für EDX Analysen mit tiefen Spannungen für hohe räumliche Auflösung und Detektion von leichten Elementen)

 

 

Particle Vision-Netzwerk